大葉大學圖書館 |

語系: 繁體中文

說明(常見問題)

登入

回首頁

切換: 標籤 | MARC模式 | ISBD

Power MOSFET/IGBT應用設計技術

~

山崎浩

Power MOSFET/IGBT應用設計技術

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
作者:	山崎浩
其他作者:	白中和
出版地:	台北縣永和市
出版者:	建興文化事業有限公司;
出版年:	2003
版本:	第一版
面頁冊數:	232頁 : 21x15公分;
集叢名:	工業用書
標題:	電路 -
ISBN:	9578176775 平裝

Power MOSFET/IGBT應用設計技術
山崎浩

Power MOSFET/IGBT應用設計技術 / 山崎浩原著 ; 白中和譯 - 第一版. - 台北縣永和市 : 建興文化事業有限公司, 2003. - 232頁 ; 21x15公分. - (工業用書).
ISBN 9578176775
電路

白中和

Power MOSFET/IGBT應用設計技術
LDR:00432nam 2200157 450 001 270678
009 9317200
010 $a 9578176775 $b 平裝
100 $a 20100608d2003 0chiy0900 e
101 $a chi
102 $a tw
200 1 $a Power MOSFET/IGBT應用設計技術 $f 山崎浩原著 $g 白中和譯
205 $a 第一版
210 $a 台北縣永和市 $c 建興文化事業有限公司 $d 2003
215 $a 232頁 $d 21x15公分
225 $a 工業用書
606 $a 電路 $3 236
700 $a 山崎浩 $4 原著 $3 51706
702 $a 白中和 $4 譯 $3 131
801 1 $a TW $b 大葉大學 $c 20041120

筆 0 讀者評論

館藏

1 筆 • 頁數 1 •
1

典藏地名稱

館藏流通類別

801448620000531

三樓中文圖書區

1.圖書流通

圖書

448.62 2223-2

1.一般(Normal)

在架

0

1 筆 • 頁數 1 •
1

評論

新增評論分享你的心得

Export

取書館別

變更密碼

登入